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SI7405BDN-T1-GE3
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Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

SI7405BDN-T1-GE3

Mfr. #:
SI7405BDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7405BDN-T1-GE3 Ficha de datos
ECAD Model:

Disponibilidad

Valores:
Available
En orden:
2000
Ingrese la cantidad:
El precio actual de SI7405BDN-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]

Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,86 US$
0,86 US$
10
0,81 US$
8,12 US$
100
0,77 US$
76,95 US$
500
0,73 US$
363,40 US$
1000
0,68 US$
684,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET - Single
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Alias ​​de parte
SI7405BDN-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAKR 1212-8
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR 1212-8
Configuración
Único
Tipo FET
Canal P MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
33W
Tipo transistor
1 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
12V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
3500pF @ 6V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
16A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
13 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
115nC @ 8V
Disipación de potencia Pd
3.6 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
45 ns
Hora de levantarse
60 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
13.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
13 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
80 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
22 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7405B, SI7405, SI740, SI74, SI7
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
SI7405BDN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 11 A; 12 V; 8-Pin PowerPAK 1212
***Components
Supplied as a Tape, SI7405BDN-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay
***ure Electronics
P-Channel 12 V 0.013 O 115 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 12V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***ark
Transistor Polarity:P Channel
***
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
***i-Key
MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7405BDN-T1-GE3
DISTI # SI7405BDN-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		3733In Stock
  • 1000:$0.6118
  • 500:$0.7750
  • 100:$0.9993
  • 10:$1.2640
  • 1:$1.4300
SI7405BDN-T1-GE3
DISTI # SI7405BDN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI7405BDN-T1-GE3
    DISTI # SI7405BDN-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI7405BDN-T1-GE3
      DISTI # 09X6447      		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P CHANNEL, -12V, -16A, POWERPAK-8,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-16A,Drain Source Voltage Vds:-12V,On Resistance Rds(on):0.009ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V,Threshold Voltage Vgs:-1V , RoHS Compliant: Yes0
        SI7405BDN-T1-GE3.
        DISTI # 16AC0268        		Vishay IntertechnologiesTransistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-16A,Drain Source Voltage Vds:-12V,On Resistance Rds(on):0.009ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V,Threshold Voltage Vgs:-1V,Power Dissipation Pd:33W,No. of Pins:8Pins , RoHS Compliant: No0
          SI7405BDN-T1-GE3
          DISTI # 70617000          		Vishay SiliconixSI7405BDN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor,11 A,12 V,8-Pin PowerPAK 1212
          RoHS: Compliant          		0
          • 300:$0.7400
          • 600:$0.7250
          • 1500:$0.7030
          • 3000:$0.6730
          • 7500:$0.6290
          SI7405BDN-T1-GE3
          DISTI # 781-SI7405BDN-T1-GE3          		Vishay IntertechnologiesMOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
          RoHS: Compliant          		0
            SI7405BDN-T1-GE3Vishay Intertechnologies 1627
              SI7405BDN-T1-GE3
              DISTI # 8181400P              		Vishay IntertechnologiesTRANS MOSFET P-CH 12V 13.5AN, RL1680
              • 100:£0.5340
              • 400:£0.4710
              • 1000:£0.4310
              Imagen Parte # Descripción
              SI7405BDN-T1-E3

              Mfr.#: SI7405BDN-T1-E3

              OMO.#: OMO-SI7405BDN-T1-E3-VISHAY

              		 RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 16A 33W 13mohm @ 4.5V
              SI7405BDN

              Mfr.#: SI7405BDN

              OMO.#: OMO-SI7405BDN-1190

              		 Nuevo y original
              SI7405BDN-T1-GE3

              Mfr.#: SI7405BDN-T1-GE3

              OMO.#: OMO-SI7405BDN-T1-GE3-VISHAY

              		 MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
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