NSV1C201LT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

100 V

Colector- Voltaje base VCBO:

140 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

30 mV

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

110 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

NSS1C201L

Ganancia de corriente CC hFE Max:

360 at 500 mA, 2 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

2 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

490 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

NSV1C201, NSV1C2, NSV1C, NSV1, NSV