CGHV60040D

CGHV60040D
Mfr. #:
CGHV60040D
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF JFET Transistors DC-6GHz 40W GaN 50Volt
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
CGHV60040D Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
CGHV60040D más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Cree / Wolfspeed
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Paquete de gel
Estilo de montaje
SMD / SMT
Rango de temperatura de funcionamiento
-
Paquete-Estuche
Morir desnudo
Tecnología
GaN SiC
Configuración
Doble
Tipo transistor
HEMT
Ganar
18 dB
Clase
-
Potencia de salida
40 W
Disipación de potencia Pd
-
Temperatura máxima de funcionamiento
-
Temperatura mínima de funcionamiento
-
Solicitud
-
Frecuencia de operación
6 GHz
Id-corriente-de-drenaje-continua
3.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
50 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
-
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
-
Polaridad del transistor
Canal N
Transconductancia directa-Mín.
-
Kit de desarrollo
-
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
-
Tensión de corte de fuente de puerta
-
Voltaje de puerta de drenaje máximo
-
Figura de ruido NF
-
P1dB-Punto de compresión
-
Tags
CGHV600, CGHV6, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
CGHV600 6GHz GaN HEMTs
Wolfspeed CGHV600 6GHz gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) provide superior performance compared with silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs) transistors. CGHV600 GaN HEMTs offer higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. These transistors also offer greater power density and wider bandwidths. CGHV600 series devices are ideal for use in a variety of applications, including cellular infrastructure and Class A, AB, and linear amplifiers.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
CGHV60040D-GP4
DISTI # CGHV60040D-GP4-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
550In Stock
  • 10:$42.3360
CGHV60040D
DISTI # 941-CGHV60040D
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
RoHS: Compliant
200
  • 10:$42.3400
Imagen Parte # Descripción
CGHV60040D

Mfr.#: CGHV60040D

OMO.#: OMO-CGHV60040D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
CGHV60075D5

Mfr.#: CGHV60075D5

OMO.#: OMO-CGHV60075D5

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
CGHV60170D

Mfr.#: CGHV60170D

OMO.#: OMO-CGHV60170D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
CGHV60040D-GP4

Mfr.#: CGHV60040D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60040D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV60075D5-GP4

Mfr.#: CGHV60075D5-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60075D5-GP4-WOLFSPEED

RF POWER TRANSISTOR
CGHV60170D-GP4

Mfr.#: CGHV60170D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60170D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV60040D

Mfr.#: CGHV60040D

OMO.#: OMO-CGHV60040D-318

RF JFET Transistors DC-6GHz 40W GaN 50Volt
CGHV60170D

Mfr.#: CGHV60170D

OMO.#: OMO-CGHV60170D-318

RF JFET Transistors DC-6GHz 170W GaN 50Volt
CGHV60075D5

Mfr.#: CGHV60075D5

OMO.#: OMO-CGHV60075D5-318

RF JFET Transistors 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V
CGHV60075D

Mfr.#: CGHV60075D

OMO.#: OMO-CGHV60075D-318

RF JFET Transistors 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5500
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Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
58,77 US$
58,77 US$
10
55,83 US$
558,31 US$
100
52,89 US$
5 289,30 US$
500
49,95 US$
24 977,25 US$
1000
47,02 US$
47 016,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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