CGHV60170D

CGHV60170D
Mfr. #:
CGHV60170D
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
CGHV60170D Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
CGHV60170D más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tecnología:
GaN SiC
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
32 V
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
100 V
Pd - Disipación de energía:
45 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Embalaje:
Bandeja
Configuración:
Único
Altura:
4.064 mm
Longitud:
9.652 mm
Ancho:
5.842 mm
Marca:
Qorvo
Voltaje de corte de puerta-fuente:
- 2.9 V
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1092444
Tags
CGHV6, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 50V DIE
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
CGHV60170D-GP4
DISTI # CGHV60170D-GP4-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
10In Stock
  • 10:$156.7360
CGHV60170D
DISTI # 941-CGHV60170D
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
RoHS: Compliant
40
  • 10:$156.4900
CGHV60170D-GP4
DISTI # CGHV60170D-GP4
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 50:$156.7400
Imagen Parte # Descripción
CGHV60040D

Mfr.#: CGHV60040D

OMO.#: OMO-CGHV60040D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
CGHV60075D5

Mfr.#: CGHV60075D5

OMO.#: OMO-CGHV60075D5

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
CGHV60170D

Mfr.#: CGHV60170D

OMO.#: OMO-CGHV60170D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
CGHV60040D-GP4

Mfr.#: CGHV60040D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60040D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV60075D5-GP4

Mfr.#: CGHV60075D5-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60075D5-GP4-WOLFSPEED

RF POWER TRANSISTOR
CGHV60170D-GP4

Mfr.#: CGHV60170D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV60170D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V DIE
CGHV60040D

Mfr.#: CGHV60040D

OMO.#: OMO-CGHV60040D-318

RF JFET Transistors DC-6GHz 40W GaN 50Volt
CGHV60170D

Mfr.#: CGHV60170D

OMO.#: OMO-CGHV60170D-318

RF JFET Transistors DC-6GHz 170W GaN 50Volt
CGHV60075D5

Mfr.#: CGHV60075D5

OMO.#: OMO-CGHV60075D5-318

RF JFET Transistors 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V
CGHV60075D

Mfr.#: CGHV60075D

OMO.#: OMO-CGHV60075D-318

RF JFET Transistors 6.0GHz 75 Watt GaN Gain 17dB typ. 50V
Disponibilidad
Valores:
40
En orden:
2023
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El precio actual de CGHV60170D es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
10
144,23 US$
1 442,30 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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