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IXDH20N120D1

IXDH20N120D1
Mfr. #:
IXDH20N120D1
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
IGBT Transistors 20 Amps 1200V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXDH20N120D1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXDH20N120D1 DatasheetIXDH20N120D1 Datasheet (P4)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
IXYS
Categoria de producto:
Transistores IGBT
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Paquete / Caja:
TO-247-3
Estilo de montaje:
A través del orificio
Configuración:
Único
Voltaje colector-emisor VCEO Max:
1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:
2.4 V
Voltaje máximo del emisor de puerta:
20 V
Corriente continua del colector a 25 C:
38 A
Pd - Disipación de energía:
200 W
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Serie:
IXDH20N120
Embalaje:
Tubo
Corriente continua de colector Ic Max:
50 A
Altura:
21.46 mm
Longitud:
16.26 mm
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 55 C to + 150 C
Ancho:
5.3 mm
Marca:
IXYS
Corriente continua del colector:
38 A
Corriente de fuga puerta-emisor:
500 nA
Tipo de producto:
Transistores IGBT
Cantidad de paquete de fábrica:
30
Subcategoría:
IGBT
Unidad de peso:
0.229281 oz
Tags
IXDH20N120D, IXDH2, IXDH, IXD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
IXDH20N120D1 Series 1200 V 38 A N-Channel High Voltage IGBT - TO-247AD
***ical
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 38A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***trelec
IGBT Housing type: TO-247AD Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 2.4 V Current release time: 70 ns Power dissipation: 200 W
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXDH20N120D1
DISTI # 24328028		IXYS CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant		180
  • 100:$4.6464
  • 50:$4.7916
  • 25:$4.9462
  • 3:$5.1111
IXDH20N120D1
DISTI # IXDH20N120D1-ND		IXYS CorporationIGBT 1200V 38A 200W TO247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$7.3187
IXDH20N120D1
DISTI # C1S331700016274		IXYS CorporationTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant		180
  • 100:$6.4100
  • 50:$6.9300
  • 25:$7.5500
  • 10:$7.7200
  • 1:$11.3000
IXDH20N120D1
DISTI # 747-IXDH20N120D1		IXYS CorporationIGBT Transistors 20 Amps 1200V
RoHS: Compliant		68
  • 1:$8.9200
  • 10:$8.0300
  • 25:$7.3200
  • 50:$6.6900
  • 100:$6.6100
  • 250:$6.0200
  • 500:$5.5300
  • 1000:$4.8200
IXDH20N120D1
DISTI # 192657		IXYS CorporationTRANSISTOR IGBT N-CH 1.2KV 38A TO247AD, EA94
  • 1:£6.0700
  • 5:£5.7700
  • 20:£5.4900
  • 50:£5.2400
  • 100:£4.5500
IXDH20N120D1
DISTI # IXDH20N120D1		IXYS CorporationTransistor: IGBT,1.2kV,25A,200W,TO247AD32
  • 1:$8.8400
  • 3:$8.0100
  • 10:$6.4500
  • 30:$6.1300
IXDH20N120D1
DISTI # IXDH20N120D1		IXYS Corporation1200V 38A 200W TO247AD
RoHS: Compliant		25
  • 1:€8.1500
  • 5:€5.1500
  • 30:€4.1500
  • 60:€4.0000
Imagen Parte # Descripción
HS100 50R J

Mfr.#: HS100 50R J

OMO.#: OMO-HS100-50R-J

 Wirewound Resistors - Chassis Mount Wirewound Resistors
HS100 50R J

Mfr.#: HS100 50R J

OMO.#: OMO-HS100-50R-J-OHMITE

 Wirewound Resistors - Chassis Mount Wirewound Resistors
Disponibilidad
Valores:
30
En orden:
2013
Ingrese la cantidad:
El precio actual de IXDH20N120D1 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
8,92 US$
8,92 US$
10
8,03 US$
80,30 US$
25
7,32 US$
183,00 US$
50
6,69 US$
334,50 US$
100
6,61 US$
661,00 US$
250
6,02 US$
1 505,00 US$
500
5,53 US$
2 765,00 US$
1000
4,82 US$
4 820,00 US$
2500
4,76 US$
11 900,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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