DMN1029UFDB-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

U-DFN2020-B-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

29 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

10.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.4 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN1029

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

4.1 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Unidad de peso:

0.000238 oz

Tags

DMN102, DMN10, DMN1, DMN