NX3008PBKW,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

0.55 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

310 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Producto:

MOSFET de trinchera

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de trinchera

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

160 mS

Otoño:

38 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

65 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

19 ns

Unidad de peso:

0.000176 oz

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NX3008PBKW, NX3008P, NX3008, NX300, NX30, NX3