SI7218DN-T1-GE3

SI7218DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7218DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7218DN-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
SI7218DN-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAKR 1212-8 Dual
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR 1212-8 Dual
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
23W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
700pF @ 15V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
24A
Rds-On-Max-Id-Vgs
25 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
17nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
2.6 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
12 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
25 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
10 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
15 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7218, SI721, Si72, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
***
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S)
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7218DN-T1-GE3
DISTI # SI7218DN-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
  • 3000:$0.7392
SI7218DN-T1-GE3
DISTI # 781-SI7218DN-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
    SI7218DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    Americas -
      Imagen Parte # Descripción
      SI7218DN-T1-GE3

      Mfr.#: SI7218DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7218DN-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7228DN-GE3
      SI7218DN-T1-GE3

      Mfr.#: SI7218DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7218DN-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
      SI7218DN

      Mfr.#: SI7218DN

      OMO.#: OMO-SI7218DN-1190

      Nuevo y original
      SI7218DN-T1-E3

      Mfr.#: SI7218DN-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7218DN-T1-E3-VISHAY

      MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      3000
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      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      1,11 US$
      1,11 US$
      10
      1,05 US$
      10,53 US$
      100
      1,00 US$
      99,79 US$
      500
      0,94 US$
      471,25 US$
      1000
      0,89 US$
      887,00 US$
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