APTGF90H60T3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Patio

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

600 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2.1 V

Corriente continua del colector a 25 C:

120 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

400 nA

Pd - Disipación de energía:

416 W

Paquete / Caja:

SP-3

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

A granel

Altura:

11.5 mm

Longitud:

73.4 mm

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 150 C

Ancho:

40.8 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

IGBT

Tags

APTGF90H, APTGF9, APTGF, APTG, APT