SI7382DP-T1-GE3

SI7382DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7382DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7382DP-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VIS
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7382DP-GE3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
1.8 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
14 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
4.7 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tags
SI7382D, SI7382, SI738, SI73, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7382DP-T1-GE3
DISTI # SI7382DP-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI7382DP-T1-GE3
    DISTI # 781-SI7382DP-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      SI7382DP-T1-GE3

      Mfr.#: SI7382DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7382DP-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V
      SI7382DP-T1-E3

      Mfr.#: SI7382DP-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7382DP-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V
      SI7382DP

      Mfr.#: SI7382DP

      OMO.#: OMO-SI7382DP-1190

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      0,00 US$
      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
      1000
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