SSM6N16FUTE85LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.2 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

SSM6N16

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

125 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

70 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

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