IRF5851TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

4 nC

Pd - Disipación de energía:

960 mW

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Infineon / IR

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001561866

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

IRF5851T, IRF5851, IRF585, IRF58, IRF5, IRF