MT3S113(TE85L,F)

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

Y

Serie:

MT3S113

Tipo de transistor:

Bipolar

Tecnología:

SiGe

Polaridad del transistor:

NPN

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

5.3 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

0.6 V

Corriente continua del colector:

100 mA

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-236-3

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

12.5 GHz

Marca:

Toshiba

Corriente máxima del colector de CC:

100 mA

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Tags

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