2SA2125-TD-H

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-243-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

290 mV

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

380 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2SA2125

Ganancia de corriente CC hFE Max:

560

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

3 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200

Pd - Disipación de energía:

1.3 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SA2125, 2SA212, 2SA21, 2SA2, 2SA