2N7002ET1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

310 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

0.81 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

420 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.94 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

2N7002E

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

530 mS

Otoño:

3.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

1.7 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

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