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AS4C32M16D1-5BCNTR

AS4C32M16D1-5BCNTR
Mfr. #:
AS4C32M16D1-5BCNTR
Fabricante:
Alliance Memory
Descripción:
DRAM 512M 2.5V 200Mhz 32M x 16 DDR1
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
AS4C32M16D1-5BCNTR Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
AS4C32M16D1-5BCNTR más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Memoria de la Alianza
Categoria de producto:
DRACMA
RoHS:
Y
Escribe:
SDRAM - DDR1
Ancho del bus de datos:
16 bit
Organización:
32 M x 16
Paquete / Caja:
TFBGA-60
Tamaño de la memoria:
512 Mbit
Frecuencia máxima de reloj:
200 MHz
Tiempo de acceso:
0.7 ns
Voltaje de suministro - Máx:
2.7 V
Voltaje de suministro - Min:
2.3 V
Corriente de suministro - Máx .:
250 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
0 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 70 C
Serie:
AS4C32M16D1
Embalaje:
Carrete
Marca:
Memoria de la Alianza
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
DRACMA
Cantidad de paquete de fábrica:
2500
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
AS4C32M16D1-5B, AS4C32M16D1-5, AS4C32M16D1, AS4C32M16D, AS4C32M1, AS4C3, AS4C, AS4
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Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
    C***l
    C***l
    CY

    As described, arrived quickly, works just fine! Recommend the seller.

    2019-04-12
    M***o
    M***o
    RU

    The product corresponds to the description

    2019-05-15
    N***a
    N***a
    RU

    Long walking!

    2019-05-28
***metry Electronics
DDR1 512MB 200Mhz 400Mbps/pin 2.5V 32M x 16 60ball TFBGA
***et
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32M x 16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R
***i-Key
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
DDR1 Synchronous DRAM
Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
AS4C32M16D1-5BCNTR
DISTI # AS4C32M16D1-5BCNTR		Alliance Memory IncDRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32M x 16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R - Tape and Reel (Alt: AS4C32M16D1-5BCNTR)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$2.5900
  • 5000:$2.5900
  • 10000:$2.4900
  • 15000:$2.4900
  • 25000:$2.3900
AS4C32M16D1-5BCN
DISTI # 913-AS4C32M16D1-5BCN		Alliance Memory IncDRAM 512M 2.5V 200Mhz 32M x 16 DDR1
RoHS: Compliant		134
  • 1:$4.4800
  • 10:$4.0600
  • 25:$3.9700
  • 50:$3.9500
  • 100:$3.5400
  • 250:$3.5300
  • 500:$3.4000
  • 1000:$3.0900
  • 2000:$2.9400
AS4C32M16D1-5BCNTR
DISTI # 913-AS4C32M16D15BCNT		Alliance Memory IncDRAM 512M 2.5V 200Mhz 32M x 16 DDR1
RoHS: Compliant		0
  • 2500:$3.0100
AS4C32M16D1-5BCNTRAlliance Memory IncSDRAM 512M-Bit 32M x 16 2.5V 60-Pin TFBGA2500
    Imagen Parte # Descripción
    AS4C32M16SA-7TINTR

    Mfr.#: AS4C32M16SA-7TINTR

    OMO.#: OMO-AS4C32M16SA-7TINTR

    		 DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM
    AS4C32M16D1-5BANTR

    Mfr.#: AS4C32M16D1-5BANTR

    OMO.#: OMO-AS4C32M16D1-5BANTR

    		 DRAM 512M 2.5V 200MHz 32Mx16 DDR1 A-Temp
    AS4C32M16D3L-12BCN

    Mfr.#: AS4C32M16D3L-12BCN

    OMO.#: OMO-AS4C32M16D3L-12BCN

    		 DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3
    AS4C32M16D3-12BCN

    Mfr.#: AS4C32M16D3-12BCN

    OMO.#: OMO-AS4C32M16D3-12BCN

    		 DRAM 512M 1.5V 800Mhz 32M x 16 DDR3
    AS4C32M16MD1-5BCN

    Mfr.#: AS4C32M16MD1-5BCN

    OMO.#: OMO-AS4C32M16MD1-5BCN

    		 DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 32M x 16 Mobile DDR
    AS4C32M16SB-7TIN

    Mfr.#: AS4C32M16SB-7TIN

    OMO.#: OMO-AS4C32M16SB-7TIN-ALLIANCE-MEMORY

    		 512Mb SDRAM is a high-speed CMOS synchronous DRAM containing 512 Mbits (Alt: AS4C32M16SB-7TIN)
    AS4C32M16MS-6BIN

    Mfr.#: AS4C32M16MS-6BIN

    OMO.#: OMO-AS4C32M16MS-6BIN-230

    		 DRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR
    AS4C32M16D1A-5TANTR

    Mfr.#: AS4C32M16D1A-5TANTR

    OMO.#: OMO-AS4C32M16D1A-5TANTR-ALLIANCE-MEMORY

    		 DRAM 512m 2.5V 200Mhz 32M x 16 DDR1
    AS4C32M16D2A-25BAN

    Mfr.#: AS4C32M16D2A-25BAN

    OMO.#: OMO-AS4C32M16D2A-25BAN-ALLIANCE-MEMORY

    		 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
    AS4C32M16D1A-5TCNTR

    Mfr.#: AS4C32M16D1A-5TCNTR

    OMO.#: OMO-AS4C32M16D1A-5TCNTR-ALLIANCE-MEMORY

    		 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    4500
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de AS4C32M16D1-5BCNTR es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    4,59 US$
    4,59 US$
    10
    4,16 US$
    41,60 US$
    25
    4,07 US$
    101,75 US$
    50
    4,05 US$
    202,50 US$
    100
    3,63 US$
    363,00 US$
    250
    3,62 US$
    905,00 US$
    500
    3,48 US$
    1 740,00 US$
    1000
    3,16 US$
    3 160,00 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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