OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Carro

AS4C32M16D1-5BANTR

AS4C32M16D1-5BANTR
Mfr. #:
AS4C32M16D1-5BANTR
Fabricante:
Alliance Memory
Descripción:
DRAM 512M 2.5V 200MHz 32Mx16 DDR1 A-Temp
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
AS4C32M16D1-5BANTR Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
AS4C32M16D1-5BANTR más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Memoria de la Alianza
Categoria de producto:
DRACMA
RoHS:
Y
Escribe:
SDRAM - DDR1
Ancho del bus de datos:
16 bit
Organización:
32 M x 16
Paquete / Caja:
FBGA-60
Tamaño de la memoria:
512 Mbit
Frecuencia máxima de reloj:
200 MHz
Tiempo de acceso:
0.7 ns
Voltaje de suministro - Máx:
2.7 V
Voltaje de suministro - Min:
2.3 V
Corriente de suministro - Máx .:
108 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 105 C
Serie:
AS4C32M16D1
Embalaje:
Carrete
Marca:
Memoria de la Alianza
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
DRACMA
Cantidad de paquete de fábrica:
2500
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
AS4C32M16D1-5B, AS4C32M16D1-5, AS4C32M16D1, AS4C32M16D, AS4C32M1, AS4C3, AS4C, AS4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
DDR1 Synchronous DRAM
Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.
Imagen Parte # Descripción
AS4C32M16D2A-25BAN

Mfr.#: AS4C32M16D2A-25BAN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D2A-25BAN

 DRAM
AS4C32M16D1A-5TIN

Mfr.#: AS4C32M16D1A-5TIN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D1A-5TIN

 DRAM
AS4C32M16MD1A-5BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16MD1A-5BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16MD1A-5BCNTR

 DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
AS4C32M16D3L-12BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16D3L-12BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16D3L-12BCNTR

 DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16SM-7TCN

Mfr.#: AS4C32M16SM-7TCN

OMO.#: OMO-AS4C32M16SM-7TCN

 DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR
AS4C32M16MS-7BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16MS-7BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16MS-7BCNTR

 DRAM 512M 1.8V 133MHz 32Mx16 LP MSDR
AS4C32M16D2A-25BCN

Mfr.#: AS4C32M16D2A-25BCN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D2A-25BCN-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
AS4C32M16D1-5BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16D1-5BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16D1-5BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA
AS4C32M16D2-25BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16D2-25BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16D2-25BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

 DRAM 512M, 1.8V, 32M x 16 DDR2
AS4C32M16D3-12BIN

Mfr.#: AS4C32M16D3-12BIN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D3-12BIN-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
2000
Ingrese la cantidad:
El precio actual de AS4C32M16D1-5BANTR es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Empezar con
Nuevos productos
More Newest Products
Top