IRF630NLPBF

IRF630NLPBF
Mfr. #:
IRF630NLPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IRF630NLPBF Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IR
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.084199 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Paquete-Estuche
I2PAK-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
82 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 175 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
15 ns
Hora de levantarse
14 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
9.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
200 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
300 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
27 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
7.9 ns
Qg-Gate-Charge
23.3 nC
Transconductancia directa-Mín.
4.9 S
Modo de canal
Mejora
Tags
IRF630N, IRF630, IRF63, IRF6, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ernational Rectifier
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
***et
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-262
***ied Electronics & Automation
MOSFET, 200V, 9.5A, 300 MOHM, 23.3 NC QG, TO-262
***i-Key
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:9.5A; On Resistance, Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IRF630NLPBF
DISTI # IRF630NLPBF-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
RoHS: Compliant
Min Qty: 600
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IRF630NLPBF
    DISTI # 70018226
    Infineon Technologies AGMOSFET,200V,9.5A,300 MOHM,23.3 NC QG,TO-262
    RoHS: Compliant
    0
    • 600:$1.8300
    • 1200:$1.7930
    • 3000:$1.7390
    • 6000:$1.6650
    • 15000:$1.5560
    IRF630NLPBF
    DISTI # 942-IRF630NLPBF
    Infineon Technologies AGMOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      IRF630

      Mfr.#: IRF630

      OMO.#: OMO-IRF630

      MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
      IRF630(N)

      Mfr.#: IRF630(N)

      OMO.#: OMO-IRF630-N--1190

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      IRF6305TRL

      Mfr.#: IRF6305TRL

      OMO.#: OMO-IRF6305TRL-1190

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      IRF630ATSTU

      Mfr.#: IRF630ATSTU

      OMO.#: OMO-IRF630ATSTU-1190

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      IRF630B,IRF630FP,IRF630M

      Mfr.#: IRF630B,IRF630FP,IRF630M

      OMO.#: OMO-IRF630B-IRF630FP-IRF630M-1190

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      IRF630B-FP001

      Mfr.#: IRF630B-FP001

      OMO.#: OMO-IRF630B-FP001-1190

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      IRF630M

      Mfr.#: IRF630M

      OMO.#: OMO-IRF630M-1190

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      IRF630PBF

      Mfr.#: IRF630PBF

      OMO.#: OMO-IRF630PBF-VISHAY

      MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
      IRF630PBF,IRF630

      Mfr.#: IRF630PBF,IRF630

      OMO.#: OMO-IRF630PBF-IRF630-1190

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      IRF634, IRF634PBF

      Mfr.#: IRF634, IRF634PBF

      OMO.#: OMO-IRF634-IRF634PBF-1190

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      Available
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      2000
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      1
      2,33 US$
      2,33 US$
      10
      2,22 US$
      22,17 US$
      100
      2,10 US$
      210,06 US$
      500
      1,98 US$
      991,95 US$
      1000
      1,87 US$
      1 867,20 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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