KSB1116AGBU

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-92-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 0.2 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

120 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

KSB1116A

Ganancia de corriente CC hFE Max:

400

Altura:

5.33 mm

Longitud:

5.2 mm

Embalaje:

A granel

Ancho:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corriente continua del colector:

- 1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

135

Pd - Disipación de energía:

750 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.006286 oz

Tags

KSB1116A, KSB111, KSB11, KSB1, KSB