DMN4030LK3-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

13.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

21 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

12.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

4.18 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMN40

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

22.8 S

Otoño:

10.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.2 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

DMN4030, DMN403, DMN40, DMN4, DMN