TK62N60X,S1F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

61.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

33 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

135 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

400 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

DTMOSIV

Altura:

20.95 mm

Longitud:

15.94 mm

Serie:

TK62N60X

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.02 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

40 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

240 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

90 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

TK62N60X, TK62N, TK62, TK6