FDI150N10

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

57 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

110 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Tubo

Altura:

7.88 mm

Longitud:

10.29 mm

Serie:

FDI150N10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Power Trench MOSFET

Ancho:

4.83 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

156 S

Otoño:

83 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

164 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

86 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

47 ns

Unidad de peso:

0.073511 oz

Tags

FDI1, FDI