SI4840BDY-T1-E3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

19 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

33 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

6 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

SI4

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

56 S

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Parte # Alias:

SI4840BDY-E3

Unidad de peso:

0.006596 oz

Tags

SI4840BDY-T, SI4840BD, SI4840B, SI4840, SI484, SI48, SI4