IXBT10N170

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

Transistores IGBT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

TO-268-3

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1.7 kV

Voltaje de saturación colector-emisor:

3.4 V

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Corriente continua del colector a 25 C:

20 A

Pd - Disipación de energía:

140 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

IXBT10N170

Embalaje:

Tubo

Corriente continua de colector Ic Max:

40 A

Altura:

5.1 mm

Longitud:

16.05 mm

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 150 C

Ancho:

14 mm

Marca:

IXYS

Corriente continua del colector:

20 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

100 nA

Tipo de producto:

Transistores IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

IGBT

Nombre comercial:

BIMOSFET

Unidad de peso:

0.158733 oz

Tags

IXBT1, IXBT, IXB