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VS-10ETF10S-M3

VS-10ETF10S-M3
Mfr. #:
VS-10ETF10S-M3
Fabricante:
Vishay Semiconductors
Descripción:
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
VS-10ETF10S-M3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
VS-10ETF10S-M3 DatasheetVS-10ETF10S-M3 Datasheet (P4-P6)VS-10ETF10S-M3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Vishay
Categoria de producto:
Diodos y rectificadores Schottky
RoHS:
Y
Producto:
Rectificadores Schottky
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TO-263AB
Si - Corriente directa:
10 A
Vrrm - Voltaje inverso repetitivo:
1000 V
Vf - Voltaje directo:
1.33 V
Ifsm - Corriente de sobretensión directa:
155 A
Configuración:
Ánodo doble simple
Tecnología:
Si
Ir - Corriente inversa:
4 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Embalaje:
Tubo
Marca:
Semiconductores Vishay
Tipo de producto:
Diodos y rectificadores Schottky
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Diodes & Rectifiers
trr - Tiempo de recuperación inverso:
80 ns
Vr - Voltaje inverso:
1000 V
Unidad de peso:
0.048678 oz
Tags
VS-10ETF10S, VS-10ETF10, VS-10ETF1, VS-10ETF, VS-10E, VS-10, VS-1
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
***et
New Input Diodes - D2PAK-e3
***ark
N I D - D2pak- 3
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
VS-10ETF10S-M3
DISTI # VS-10ETF10S-M3-ND		Vishay SemiconductorsDIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.9025
VS-10ETF10S-M3
DISTI # VS-10ETF10S-M3		Vishay IntertechnologiesNew Input Diodes - D2PAK-e3 - Tape and Reel (Alt: VS-10ETF10S-M3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel		Americas - 0
  • 1000:$0.8619
  • 1100:$0.8369
  • 2100:$0.8029
  • 5000:$0.7809
  • 10000:$0.7599
VS-10ETF10S-M3
DISTI # 78-VS-10ETF10S-M3		Vishay IntertechnologiesSchottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
RoHS: Compliant		167
  • 1:$1.8500
  • 10:$1.5300
  • 100:$1.1900
  • 500:$1.0400
  • 1000:$0.8600
  • 2500:$0.8010
  • 5000:$0.7710
  • 10000:$0.7410
Imagen Parte # Descripción
AT24CM02-SSHD-B

Mfr.#: AT24CM02-SSHD-B

OMO.#: OMO-AT24CM02-SSHD-B

 EEPROM 2.5-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N
SIHFZ48S-GE3

Mfr.#: SIHFZ48S-GE3

OMO.#: OMO-SIHFZ48S-GE3

 MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
IPW60R031CFD7XKSA1

Mfr.#: IPW60R031CFD7XKSA1

OMO.#: OMO-IPW60R031CFD7XKSA1

 MOSFET HIGH POWER_NEW
1N4007-T

Mfr.#: 1N4007-T

OMO.#: OMO-1N4007-T

 Rectifiers Vr/1000V Io/1A T/R
SUM70040E-GE3

Mfr.#: SUM70040E-GE3

OMO.#: OMO-SUM70040E-GE3

 MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
STTH112A

Mfr.#: STTH112A

OMO.#: OMO-STTH112A

 Rectifiers 1.0 Amp 1200 Volt
EDH106M025A9BAA

Mfr.#: EDH106M025A9BAA

OMO.#: OMO-EDH106M025A9BAA

 Aluminum Electrolytic Capacitors - SMD 25V 10uF 20%
SIHFZ48S-GE3

Mfr.#: SIHFZ48S-GE3

OMO.#: OMO-SIHFZ48S-GE3-1190

 Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
V23079D2001B301

Mfr.#: V23079D2001B301

OMO.#: OMO-V23079D2001B301-TE-CONNECTIVITY

 Low Signal Relays - PCB 5 VDC 2 Form C DPDT 20
GRJ155R60J106ME11D

Mfr.#: GRJ155R60J106ME11D

OMO.#: OMO-GRJ155R60J106ME11D-MURATA-ELECTRONICS

 CAP CER 10UF 6.3V X5R 0402
Disponibilidad
Valores:
657
En orden:
2640
Ingrese la cantidad:
El precio actual de VS-10ETF10S-M3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
1,85 US$
1,85 US$
10
1,53 US$
15,30 US$
100
1,19 US$
119,00 US$
500
1,04 US$
520,00 US$
1000
0,86 US$
860,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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