TK7A90E,S4X

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

900 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

32 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

45 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

15 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

TK7A90E

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.5 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

85 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

55 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

TK7A90E,S, TK7A9, TK7A, TK7