FDMS7620S_F065

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-56-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

15.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

6 mm

Serie:

FDMS7620S

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

53 S

Otoño:

1.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.6 ns

Unidad de peso:

0.008818 oz

Tags

FDMS7620, FDMS762, FDMS76, FDMS7, FDMS, FDM