APT50GN60BDQ2G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores IGBT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

TO-247-3

Estilo de montaje:

A través del orificio

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

600 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.5 V

Voltaje máximo del emisor de puerta:

30 V

Corriente continua del colector a 25 C:

107 A

Pd - Disipación de energía:

366 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Embalaje:

Tubo

Corriente continua de colector Ic Max:

107 A

Altura:

5.31 mm

Longitud:

21.46 mm

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 175 C

Ancho:

16.26 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Corriente continua del colector:

107 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

600 nA

Tipo de producto:

Transistores IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

IGBT

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

APT50GN60BDQ, APT50GN60BD, APT50GN6, APT50GN, APT50G, APT50, APT5, APT