RQ3E120ATTB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSMT-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

39 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

61 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

62 nC

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.85 mm

Longitud:

3 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

2.4 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

95 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

140 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Parte # Alias:

RQ3E120AT

Tags

RQ3E120AT, RQ3E120A, RQ3E12, RQ3E1, RQ3E, RQ3