2SK3018T106

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

2SK3018

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

20 ms

Otoño:

80 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

80 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Parte # Alias:

2SK3018

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

2SK3018T10, 2SK3018T, 2SK3018, 2SK301, 2SK30, 2SK3, 2SK