TSM2311CX RFG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

45 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

900 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Producto:

Rectificadores

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Transconductancia directa - Mín .:

9 S

Otoño:

25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

45 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

22 ns

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TSM2311CXR, TSM2311C, TSM2311, TSM231, TSM23, TSM2, TSM