TGF2936

TGF2936
Mfr. #:
TGF2936
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors DC-25GHz 10Watt NF 1.3dB GaN
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGF2936 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGF2936 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
16 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
-
Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:
-
Id - Corriente de drenaje continua:
360 mA
Potencia de salida:
4.8 W
Voltaje máximo de la puerta de drenaje:
-
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Pd - Disipación de energía:
5 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Embalaje:
Paquete de gel
Solicitud:
Defensa y aeroespacial, banda ancha inalámbrica
Configuración:
Único
Frecuencia de operación:
DC to 25 GHz
Serie:
TGF
Marca:
Qorvo
Transconductancia directa - Mín .:
-
NF - Figura de ruido:
1.3 dB
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1113815
Tags
TGF293, TGF29, TGF2, TGF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Imagen Parte # Descripción
TGF2819-FL

Mfr.#: TGF2819-FL

OMO.#: OMO-TGF2819-FL

RF JFET Transistors DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
TGF2160

Mfr.#: TGF2160

OMO.#: OMO-TGF2160

RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
TGF3020-SM

Mfr.#: TGF3020-SM

OMO.#: OMO-TGF3020-SM

RF MOSFET Transistors 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
TGF10-07870787-039

Mfr.#: TGF10-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF10-07870787-039

Thermal Interface Products 1W/m-K 200*200*1 TGF10 White Gray
TGF2023-2-20

Mfr.#: TGF2023-2-20

OMO.#: OMO-TGF2023-2-20-318

RF JFET Transistors DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
TGF2929-FL

Mfr.#: TGF2929-FL

OMO.#: OMO-TGF2929-FL-319

RF MOSFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V GaN
TGF4240-SCC

Mfr.#: TGF4240-SCC

OMO.#: OMO-TGF4240-SCC-1152

RF JFET Transistors DC-12.0GHz 1.4 Watt HFET
TGF12B09-01SN105

Mfr.#: TGF12B09-01SN105

OMO.#: OMO-TGF12B09-01SN105-1036

Circular MIL Spec Connector FLNG MNT SZ 8 TWINAX 38999 SERIES III
TGF40-07870787-039

Mfr.#: TGF40-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF40-07870787-039-LEADER-TECH

THERMAL GAP FILLER, 200X200X1MM, PURPLE
TGF30SF-07870787-020

Mfr.#: TGF30SF-07870787-020

OMO.#: OMO-TGF30SF-07870787-020-LEADER-TECH

THERMAL GAP FILLER, 200X200X0.5MM
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de TGF2936 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
50
35,56 US$
1 778,00 US$
100
31,43 US$
3 143,00 US$
250
29,43 US$
7 357,50 US$
Empezar con
Top