NVHL080N120SC1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

44 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

162 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 15 V, 25 V

Qg - Carga de puerta:

56 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

348 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

13 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

450

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.2 ns

Tags

NVHL0, NVHL, NVH