IRF7341TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

56 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

24 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

7.9 S

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.3 ns

Parte # Alias:

SP001554204

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

IRF7341TRP, IRF7341T, IRF7341, IRF734, IRF73, IRF7, IRF