DMT8012LPS-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI5060-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

65 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

14 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

34 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

5.8 mm

Serie:

DMT8012

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.9 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

3.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.9 ns

Unidad de peso:

0.003386 oz

Tags

DMT801, DMT8, DMT