TPS1120DG4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

15 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

180 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

2 V, - 15 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 125 C

Pd - Disipación de energía:

840 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

TPS1120

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Escribe:

Modo de mejora de canal P dual

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

2.5 S

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns

Unidad de peso:

0.002677 oz

Tags

TPS1120D, TPS112, TPS11, TPS1, TPS