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SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7962DP-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7962DP-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Alias ​​de parte
SI7962DP-E3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAKR SO-8 Dual
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR SO-8 Dual
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
1.4W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
40V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
7.1A
Rds-On-Max-Id-Vgs
17 mOhm @ 11.1A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4.5V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
70nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
1.4 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
15 ns
Hora de levantarse
15 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
7.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
40 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
17 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
55 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
22 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7962, SI796, SI79, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:11100mA; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation, Pd:1.4W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7962DP-T1-E3
DISTI # SI7962DP-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.8873
SI7962DP-T1-E3
DISTI # 781-SI7962DP-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$1.7200
Imagen Parte # Descripción
SI7962DP-T1-E3

Mfr.#: SI7962DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-E3

 MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
SI7962DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7962DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-GE3

 MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
SI7962DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7962DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-GE3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
SI7962DP-T1-E3

Mfr.#: SI7962DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7962DP-T1-E3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
2,58 US$
2,58 US$
10
2,45 US$
24,51 US$
100
2,32 US$
232,20 US$
500
2,19 US$
1 096,50 US$
1000
2,06 US$
2 064,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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