STS9P3LLH6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

24 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.7 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

STripFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

STS9P3LLH6

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

93 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13.2 ns

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

STS9, STS