STS9P2UH7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

22 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.7 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

STS9P2UH7

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

84.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

128 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.5 ns

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

STS9, STS