STB150N3LH6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

80 nC

Pd - Disipación de energía:

110 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Serie:

STB150N3LH6

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

40 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

85 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

100 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

STB150, STB15, STB1, STB