IPL65R190E6AUMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSON-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

190 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

73 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

151 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

8 mm

Serie:

CoolMOS E6

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

8 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

112 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Parte # Alias:

IPL65R190E6AUMA1 SP001074938

Tags

IPL65R19, IPL65R1, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL