STP13N60DM2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

365 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

110 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

10.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.3 ns

Tags

STP13N60, STP13N6, STP13N, STP13, STP1, STP