IXTX22N100L

IXTX22N100L
Mfr. #:
IXTX22N100L
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXTX22N100L Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Serie
IXTX22N100
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.056438 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Paquete-Estuche
TO-247-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
700 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
50 ns
Hora de levantarse
35 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
30 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
22 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
600 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
80 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
36 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
IXTX2, IXTX, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXTX22N100L
DISTI # 27502285
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
RoHS: Compliant
60
  • 120:$25.8093
  • 30:$27.7695
  • 1:$32.6700
IXTX22N100L
DISTI # IXTX22N100L-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 120:$26.0700
  • 30:$28.0500
  • 10:$30.5250
  • 1:$33.0000
IXTX22N100L
DISTI # V36:1790_15877584
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
RoHS: Compliant
0
    IXTX22N100L
    DISTI # 747-IXTX22N100L
    IXYS CorporationMOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A
    RoHS: Compliant
    0
    • 1:$33.0000
    • 5:$31.3500
    • 10:$30.5300
    • 25:$28.0500
    • 50:$26.8600
    • 100:$26.0700
    • 250:$23.9200
    IXTX22N100LIXYS Corporation 30
      Imagen Parte # Descripción
      IXTX20N150

      Mfr.#: IXTX20N150

      OMO.#: OMO-IXTX20N150

      MOSFET 1500 V High Voltage Power MOSFET
      IXTX22N100L

      Mfr.#: IXTX22N100L

      OMO.#: OMO-IXTX22N100L

      MOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A
      IXTX210P10T

      Mfr.#: IXTX210P10T

      OMO.#: OMO-IXTX210P10T

      MOSFET P-Channel: Standard MOSFET
      IXTX24N100

      Mfr.#: IXTX24N100

      OMO.#: OMO-IXTX24N100

      MOSFET 24 Amps 1000V
      IXTX200N10

      Mfr.#: IXTX200N10

      OMO.#: OMO-IXTX200N10-1190

      Nuevo y original
      IXTX20N150

      Mfr.#: IXTX20N150

      OMO.#: OMO-IXTX20N150-IXYS-CORPORATION

      MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
      IXTX240N075L2

      Mfr.#: IXTX240N075L2

      OMO.#: OMO-IXTX240N075L2-IXYS-CORPORATION

      MOSFET N-CH
      IXTX24N100

      Mfr.#: IXTX24N100

      OMO.#: OMO-IXTX24N100-IXYS-CORPORATION

      Darlington Transistors MOSFET 24 Amps 1000V
      IXTX22N100L

      Mfr.#: IXTX22N100L

      OMO.#: OMO-IXTX22N100L-IXYS-CORPORATION

      IGBT Transistors MOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A
      IXTX210P10T

      Mfr.#: IXTX210P10T

      OMO.#: OMO-IXTX210P10T-IXYS-CORPORATION

      IGBT Transistors MOSFET P-Channel: Standard MOSFET
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      1500
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de IXTX22N100L es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      35,88 US$
      35,88 US$
      10
      34,09 US$
      340,86 US$
      100
      32,29 US$
      3 229,20 US$
      500
      30,50 US$
      15 249,00 US$
      1000
      28,70 US$
      28 704,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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