BSS225 H6327

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-89-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

90 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

28 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

5.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.5 mm

Longitud:

4.5 mm

Serie:

BSS225

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

50 mS

Otoño:

41 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

38 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

62 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

BSS225H6327FTSA1 SP001047644

Tags

BSS225H, BSS225, BSS22, BSS2, BSS