NTLJS3113PT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WDFN-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

670 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.9 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTLJS3113P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

2 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

5.9 S

Otoño:

56.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

60 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.9 ns

Unidad de peso:

0.000317 oz

Tags

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