PMDPB58UPE,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-2020-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

58 mOhms, 58 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

950 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

9.5 nC, 9.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.21 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

9 S, 9 S

Otoño:

14 ns, 14 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

41 ns, 41 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 7 ns

Tags

PMDPB58, PMDPB5, PMDPB, PMDP, PMD