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PTFB201402FC-V2-R0

PTFB201402FC-V2-R0
Mfr. #:
PTFB201402FC-V2-R0
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
PTFB201402FC-V2-R0 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Cree, Inc.
Categoria de producto:
Transistores RF MOSFET
RoHS:
Y
Polaridad del transistor:
Canal N
Tecnología:
Si
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
65 V
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
300 mOhms
Ganar:
16 dB
Potencia de salida:
140 W
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 225 C
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
H-37248-4
Embalaje:
Carrete
Frecuencia de operación:
2010 MHz to 2025 MHz
Escribe:
RF Power MOSFET
Marca:
Velocidad de lobo / Cree
Número de canales:
1 Channel
Tipo de producto:
Transistores RF MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
MOSFET
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
10 V
Tags
PTFB20, PTFB2, PTFB, PTF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
PTFB201402FC-V2-R0
DISTI # PTFB201402FC-V2		WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
    Imagen Parte # Descripción
    PTFB201402FC-V2-R0

    Mfr.#: PTFB201402FC-V2-R0

    OMO.#: OMO-PTFB201402FC-V2-R0

    		 RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
    PTFB201402FC-V2-R250

    Mfr.#: PTFB201402FC-V2-R250

    OMO.#: OMO-PTFB201402FC-V2-R250

    		 RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
    PTFB201402FC-V1-R250

    Mfr.#: PTFB201402FC-V1-R250

    OMO.#: OMO-PTFB201402FC-V1-R250-WOLFSPEED

    		 IC AMP RF LDMOS
    PTFB201402FC-V2-R0

    Mfr.#: PTFB201402FC-V2-R0

    OMO.#: OMO-PTFB201402FC-V2-R0-1152

    		 RF POWER TRANSISTOR
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    3000
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    El precio actual de PTFB201402FC-V2-R0 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
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