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PTFB201402FC-V2-R250

PTFB201402FC-V2-R250
Mfr. #:
PTFB201402FC-V2-R250
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
PTFB201402FC-V2-R250 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Cree, Inc.
Categoria de producto:
Transistores RF MOSFET
RoHS:
Y
Polaridad del transistor:
Canal N
Tecnología:
Si
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
65 V
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
300 mOhms
Ganar:
16 dB
Potencia de salida:
140 W
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 225 C
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
H-37248-4
Embalaje:
Carrete
Frecuencia de operación:
2010 MHz to 2025 MHz
Escribe:
RF Power MOSFET
Marca:
Velocidad de lobo / Cree
Número de canales:
1 Channel
Tipo de producto:
Transistores RF MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
250
Subcategoría:
MOSFET
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
10 V
Tags
PTFB20, PTFB2, PTFB, PTF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Imagen Parte # Descripción
PTFB201402FC-V2-R0

Mfr.#: PTFB201402FC-V2-R0

OMO.#: OMO-PTFB201402FC-V2-R0

 RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
PTFB201402FC-V2-R250

Mfr.#: PTFB201402FC-V2-R250

OMO.#: OMO-PTFB201402FC-V2-R250

 RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
PTFB201402FC-V1-R250

Mfr.#: PTFB201402FC-V1-R250

OMO.#: OMO-PTFB201402FC-V1-R250-WOLFSPEED

 IC AMP RF LDMOS
PTFB201402FC-V2-R0

Mfr.#: PTFB201402FC-V2-R0

OMO.#: OMO-PTFB201402FC-V2-R0-1152

 RF POWER TRANSISTOR
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3500
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