CEDM7001 TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-883L

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

900 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

566 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

100 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CEDM7

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor central

Transconductancia directa - Mín .:

100 mS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

75 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

50 ns

Parte # Alias:

CEDM7001 PBFREE TR

Unidad de peso:

0.000026 oz

Tags

CEDM7001T, CEDM7001, CEDM7, CEDM, CED