2N6768

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-204AE-2

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

400 V

Id - Corriente de drenaje continua:

14 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

400 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

110 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Microchip / Microsemi

Otoño:

130 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

190 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

22

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

170 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

35 ns

Unidad de peso:

0.014110 oz

Tags

2N6768, 2N676, 2N67, 2N6